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专利转让:GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管材料及方法

时间:2018-3-14 12:00:56 来源:本站 点击:773

行业分类:H:电学;专利类型:发明;法律状态:等年登印费
有效期限:2017-03-29 至 2034-01-01

本发明是GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构及方法,其结构是半绝缘GaAs衬底上是GaAs缓冲层(2);缓冲层上是第一势垒层(3);第一势垒层上是第一平面掺杂层(4);第一平面掺杂层上是第一隔离层(5);第一隔离层上是沟道层(6);沟道层上是第二隔离层(7);第二隔离层上是第二平面掺杂层;第二平面掺杂层(8)上是第二势垒层(9);第二势垒层上是接触层(10)。优点:1)由于在势阱生长过程中采用交替生长超晶格结构,消除了应变弛豫,可以增加势阱中InGaAs势阱中In的组分;2)In组分增加能够明显增加势阱中二维电子气限制效应;3)In含量的增加直接增加了PHEMT材料迁移率。

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